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碳化硅（SiC）是性能優異的第三代寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩定性好、電子飽和漂移速度高等優點。
MORE+碳化硅（SiC）是性能優異的半導體材料，具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、電子飽和漂移速度高等優點。
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